化学机械研磨

对于晶圆表面全面 性平坦化是有效的制程
更新时间:2019-11-16 19:02 浏览:64 关闭窗口 打印此页

  化学机械研磨废液处理 化学机械研磨(CMP)制程已经广泛使用于半导体业晶圆的制造程序,对于晶圆表面全面 性平坦化是有效的制程。 虽然 CMP 制程是现代半导体业晶圆制造重要的技术, 但是 CMP 制程在无尘室中是一个高污染的制程。因此,CMP 废水包含?自于研磨液、晶圆本身 以及 CMP 后续清洗程序所产生的各种无机及有机污染物质, 大部份的无机物质系以氧 化物存在,主要的非溶解性无机物?自研磨液的砥?,包含 SiO2、Al2O3 及 CeO2,还有 一些在研磨时从晶圆本身掉下?的无机物质(?如: ?属、 ?属氧化物及低介电材?等)。 溶解性的无机物质包含溶解性硅酸盐与氧化剂。 CMP 废水中的有机物包含界面活性剂、?属错合剂以及其他物质。为?移除在晶圆表 面的上述物质,需要使用大?超纯水于 CMP 后续清洗程序。据统计,以一个拥有 20 个 CMP 制程机具的公司而言,每天将产生 700 m3 的 CMP 废水。根据文献的报导,在 1999 ?及 2000 ?估计分别有 4.088×108 m3 及超过 5.223×108 m3 的超纯水用于 CMP 制 程,此用水占?整个半导体用水的 40%左右。如此庞大的 CMP 制程用水必定产生大? 的 CMP 废水,此废水?大且碱?、总固体物及浊?高,因此必须妥善加以处?。 目前所有的科技产业中,其中又以半导体组件产业为最受瞩目,其主要基本概念系经 由高精密度的集成电路(Integrated Circuit, IC)完成的电子电路组件与硅半导体所组合而 成。简而言之,半导体产业可区分前、中及后端制程,前端制程为晶圆加工制造,中 段制程为晶圆与电子电路组件制造以及后端的晶圆封装。在前及中段制程中,化学机 械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)扮演成功与否的关键技术。在强势的竞争环 境下,企业主为了维持在业界的优势及塑造企业社会形象,近年投入大量的资本及人 力,不断地提升整个制程技术高精密化、轻量化、功能性及更微小化并积极研发低污 染性产品,以降低对环境生态的冲击。 半导体业、图像处理以及生物科技产业所制造的污染物质,是具有其独特性,例如制 程中常使用有机酸碱液、污染物质微小化等,用原有的处理技术及处理设备,是无法 将污染物质去除。势必投入新的处理设备、提升处理技术等,才能将整个区内所有不 同性质的废污水处理达到放流水标准。尤其是半导体产业的制程,所制造出来的化学 机械研磨废液,其废液含有粒径极小、具高浊度、有机酸碱液以及后清洗程序中的超 纯水。

  化学机械研磨废液处理_能源/化工_工程科技_专业资料。化学机械研磨废液处理 化学机械研磨(CMP)制程已经广泛使用于半导体业晶圆的制造程序,对于晶圆表面全面 性平坦化是有效的制程。 虽然 CMP 制程是现代半导体业晶圆制造重要的技术, 但是 CMP 制程

友情链接:

公司地址:

监督热线: