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权威解读丨半导体制造工艺中的主要设备及材料大盘点
更新时间:2019-12-01 11:36 浏览:189 关闭窗口 打印此页

  半导体设备和材料处于产业链上游,是推动技术进步的关键环节。半导体设备和材料应用于集成电路(IC)、LED、MEMS、分立器件等领域,其中以IC领域的占比和技术难度最高。IC制造分为前道、后道,以及中道制程,主要有氧化炉、PVD、CVD、光刻、涂胶显影、刻蚀、CMP、晶圆键合、离子注入、清洗、测试、减薄、划片、引线键合、电镀等设备,半导体材料主要包括衬底(硅片/蓝宝石/GaAs等)、光刻胶、电子气体、溅射靶材、CMP材料、掩膜版、电镀液、封装基板、引线框架、键合丝、塑封材料等。

  半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造(前道,Front-End)和封装(后道,Back-End)测试,随着先进封装技术的渗透,出现介于晶圆制造和封装之间的加工环节,称为中道(Middle-End)。由于半导体产品的加工工序多,所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。在这里,我们以最为复杂的晶圆制造(前道)和传统封装(后道)工艺为例,说明制造过程的所需要的设备和材料。

  晶圆生产线个独立的生产区域:扩散(Thermal Process)、光刻(Photo- lithography)、刻蚀(Etch)、离子注入(Ion Implant)、薄膜生长(Dielectric Deposition)、抛光(CMP)、金属化(Metalization)。这7个主要的生产区和相关步骤以及测量等都是晶圆洁净厂房进行的。在这几个生产区都放置有若干种半导体设备,满足不同的需要。例如在光刻区,除了光刻机之外,还会有配套的涂胶/显影和测量设备。

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