化学机械研磨

研磨制程根据研磨对象不同主要分为:硅(Poly CMP)、硅氧化物(Sil
更新时间:2019-10-23 18:35 浏览:89 关闭窗口 打印此页

  化学机械研磨技术综合了化学研磨和机械研磨的优势。单纯的化学研磨,表面精度较高,损伤低,完整性好,不容易出现表面/亚表面损伤,但是研磨速率较慢,材料去除效率较低,不能修正表面型面精度,研磨一致性比较差;单纯的机械研磨,研磨一致性好,表面平整度高,研磨效率高,但是容易出现表面层/亚表面层损伤,表面粗糙度值比较低。化学机械研磨吸收了两者各自的优点,可以在保证材料去除效率的同时,获得较完美的表面,得到的平整度比单纯使用这两种研磨要高出1-2个数量级,并且可以实现纳米级到原子级的表面粗糙度。

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  研磨制程根据研磨对象不同主要分为:硅研磨(Poly CMP)、硅氧化物研磨(Silicon oxide CMP)、碳化硅研磨(Silicon carbide CMP)、钨研磨(W CMP)和铜研磨(Cu CMP)。

  研磨耗材分为以下几大类:研磨液(Slurry)、研磨垫(Pad)、金刚石盘(Disk)、研磨头(Head)、清洗刷(Brush)和化学清洗剂与保护剂(Chemical)等。

  化学机械研磨,晶圆制造中,随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小,光刻(Lithography)技术对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高,IBM公司于1985年发展CMOS产品引入,并在1990年成功应用于64MB的DRAM生产中。1995年以后,CMP技术得到了快速发展,大量应用于半导体产业。化学机械研磨亦称为化学机械抛光,其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术,是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。

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